Transistor MOSFET IRF830
Especificaciones y Características
- Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
- Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Intensidad drenaje continua Id: 4.5 A
- Disipación de Potencia Pd: 74 W
- Resistencia de activación Rds (on) typ: 1.2 ohm