Transistor MOSFET IRF830

$15.00 IVA incluido

El IRF830PBF es un MOSFET  de canal N de 500V con carga de puerta baja Qg resulta en requisito de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad.

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Transistor MOSFET IRF830

SKU G8K-B Categoría Etiquetas , ,

Especificaciones y Características 

  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs:  4 V
  • Intensidad drenaje continua Id: 4.5 A
  • Disipación de Potencia Pd: 74 W
  • Resistencia de activación Rds (on) typ: 1.2 ohm
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