Especificaciones y características:

• Tipo: Transistor NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 100 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 100 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 6 A
• Potencia Disipada (Ptot): 65 W
• Ganancia de Corriente Directa (hFE): 15 a 50 (a Ic = 4 A)
• Tiempo de Conmutación (Storage Time): 1 µs
• Encapsulado: TO-220
• Características de Encapsulado: Montaje en superficie con 3 terminales