Transistor MOSFET IRF530N
Especificaciones y características:
- Intensidad drenador continua Id: 17 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
- Tensión umbral Vgs: 2 V
- Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 105 W
- Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.090 ohm
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C


![Transistor BC558-B (PNP) [AE193]](https://destecmex.com/wp-content/uploads/2023/08/destec-transistor_BJT-300x300.png)
