Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 80 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 80 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 6 V
• Corriente de Colector (Ic): 4 A
• Corriente de Colector Pulsada (Icp): 8 A
• Ganancia de Corriente Directa (hFE): 20 a 80 (a 4 A)
• Potencia Disipada (Pd): 40 W
• Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C
• Encapsulado: TO-3