Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 120 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 120 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente de Colector (Ic): 1.5 A
• Ganancia de Corriente Directa (hFE): entre 40 y 320, dependiendo de la corriente de colector
• Potencia Disipada (Ptot): 20 W (con disipador adecuado, a Tc ≤ 25 °C)
• Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C
• Frecuencia de transición (fT): 100 MHz
• Encapsulado: TO-126