Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: PNP
• Configuración: BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 40 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 40 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 3 A
• Potencia de Disipación (Pc): 10 W
• Ganancia de Corriente Continua (hFE): 160
• Frecuencia de Transición (ft): 40 MHz
• Temperatura de Operación: -65°C a +150°C
• Encapsulado: TO-126