Transistor BJT 2SB649
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: Bipolar de Unión (BJT), PNP
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 120V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 160V
- Corriente Colector Continua (Ic): 1.5A
- Potencia de Disipación (Ptot): 20W
- Ganancia de Corriente Directa (hFE): 60
- Frecuencia de Transición (ft): 140 MHz
- Temperatura de operación (Tj): -40 °C a 150 °C
- Encapsulado: TO-126