Transistor BJT 2SB649
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: Bipolar de Unión (BJT), PNP
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 50V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 50V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5V
- Corriente Colector Continua (Ic): 5A
- Potencia de Disipación (Ptot): 30W
- Ganancia de Corriente Directa (hFE): 40 – 320 (a 1A, Vce = 10V)
- Frecuencia de Transición (ft): 10MHz
- Configuración del Encapsulado: TO-3P