Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 400 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 400 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 9 V
• Corriente de Colector (Ic): 4 A
• Corriente de Colector Pulsado (Icp): 8 A
• Ganancia de Corriente de Transferencia (hFE): 20 a 100 (a Ic = 2 A, Vce = 10 V)
• Potencia de Disipación (Ptot): 40 W (con una adecuada disipación de calor)
• Frecuencia de Corte (fT): 2 MHz
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Encapsulado: TO-220