Transistor BJT BD140
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje de Colector-Emisor (Vceo): 80 V
- Voltaje de Colector-Base (Vcbo): 80 V
- Voltaje de Emisor-Base (Vebo): 5 V
- Corriente de Colector (Ic): 1.5 A
- Potencia de Disipación (Ptot): 12.5 W
- Ganancia de Corriente de Transistor (hFE): 40 a 160 (a 4 A)
- Frecuencia de Corte (fT): 4 MHz (a Vce = 10 V)
- Caso de Montaje: TO-220
- Temperatura de Operación: -65°C a +150°C