Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 80 V
• Corriente Colector (Ic): 2 A
• Ganancia de Corriente (hFE): 40 a 160 (a 4 A)
• Potencia Disipada (Ptot): 2 W (en condiciones de disipación de calor adecuadas)
• Voltaje de Base-Emisor (Vbe): 2 V (máx.)
• Frecuencia de Corte de Ganancia (fT): 3 MHz (máx.)
• Encapsulado: TO-225AA
• Temperatura de Operación: -65°C a +150°C