Transistor BJT 2SB772
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: PNP
- Configuración: BJT (Bipolar Junction Transistor)
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 50V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 50V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5V
- Corriente Colector (Ic): 4A
- Corriente Colector Pulsada (Icp): 6A
- Potencia de Disipación (Ptot): 50W
- Ganancia de Corriente Continua (hFE): 40 – 320 (varía según el rango de corriente)
- Frecuencia de Transición (ft): 6 MHz
- Capacitancia Base-Colector (Cob): 35 pF
- Capacitancia Colector-Emisor (Cce): 30 pF
- Encapsulado: TO-220
- Temperatura de Operación: -55°C a +150°C