Transistor MOSFET IRF640N

$15.00 IVA incluido

El IRF640N es un MOSFET canal N de potencia, ideal para aplicaciones de conmutación en sistemas de alta corriente y voltaje. Su diseño permite una eficiencia energética elevada, haciéndolo adecuado para controlar cargas inductivas y resistivas en diversas aplicaciones electrónicas.

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Transistor MOSFET IRF640N

SKU G8J-B Categoría Etiquetas , ,

Especificaciones y características:

  • Tipo de MOSFET: N-channel
  • Voltaje de Drenaje-Fuente (Vds): 200 V
  • Corriente de Drenaje (Id): 15 A
  • Voltaje de Puerta-Fuente (Vgs): ±20 V
  • Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.28 Ω (a Vgs = 10 V)
  • Potencia de Disipación (Pd): 94 W (con refrigeración adecuada)
  • Temperatura de Operación: -55°C a +170°C
  • Tiempo de Conmutación: Rápido
  • Encapsulado: TO-220
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