Especificaciones y características:

• Tipo de transistor: MOSFET de canal N
• Voltaje drenaje-fuente (Vds): 55V
• Corriente de drenaje (Id): 30A (a 25°C)
• Resistencia de conducción (Rds(on)): ~0.035Ω (a 4.5V en Puerta)
• Voltaje de compuerta-fuente (Vgs(th)): 1V a 2V (ideal para control directo con microcontroladores de 3.3V o 5V).
• Potencia de disipación (Pd): 68W (con un buen disipador)
• Rango de temperatura de operación: -55°C a 175°C
• Encapsulado: TO-220AB