Transistor MOSFET IRF9530
Especificaciones y características:
- Tipo: Transistor MOSFET canal P
- Voltaje de drenaje a fuente (Vds): -100V
- Corriente de drenaje (Id): -12A
- Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.3Ω (máx) a Vgs = -10V
- Voltaje de puerta a fuente (Vgs): ±20V
- Potencia de disipación (Pd): 150W
- Capacidad de carga de puerta (Qg): 160nC (típ)
- Tiempo de conmutación (encendido/apagado): Encendido: 72ns / Apagado: 150ns
- Encapsulado: TO-220
- Temperatura de operación: -55°C a 175°C