Transistor MOSFET IRF840
Especificaciones y características
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 63 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF