Transistor MOSFET IRF820
SKU
G11I-B
Categorías Otros, Transistores
Especificaciones y características:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 500V
- Corriente de Drenaje (Id): 2.5A
- Resistencia Drenaje-Fuente (Rds(on)): 3.0 ohmios (máx.)
- Voltaje de Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.0 – 4.0V
- Potencia de Disipación: 30W
- Capacitancia de Entrada (Ciss): 230pF (típico)