Transistor MOSFET IRF730
Especificaciones y características:
- Voltaje Drain – Source (VDSS): 400V
- Voltaje Drain – Gate (VDGR): 400V
- Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
- Corriente Drain (ID): 5.5A
- Corriente Pulsada en Drain (IDM): 22A
- Resistencia de Conducción (RDS): 1 Ω
- Potencia Máxima Disipada (PD): 75W


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