Transistor MOSFET IRF730

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IRF730 MOSFET Canal N 400V – 5.5A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.

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Transistor MOSFET IRF730

SKU G8J-C Categorías Otros, Transistores Etiquetas canal N, IRF730, Transistor

Especificaciones y características:

Voltaje Drain – Source (VDSS): 400V
Voltaje Drain – Gate (VDGR): 400V
Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
Corriente Drain (ID): 5.5A
Corriente Pulsada en Drain (IDM): 22A
Resistencia de Conducción (RDS): 1 Ω
Potencia Máxima Disipada (PD): 75W