Transistor MOSFET IRF640N
Especificaciones y características:
- Tipo de MOSFET: N-channel
- Voltaje de Drenaje-Fuente (Vds): 200 V
- Corriente de Drenaje (Id): 15 A
- Voltaje de Puerta-Fuente (Vgs): ±20 V
- Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.28 Ω (a Vgs = 10 V)
- Potencia de Disipación (Pd): 94 W (con refrigeración adecuada)
- Temperatura de Operación: -55°C a +170°C
- Tiempo de Conmutación: Rápido
- Encapsulado: TO-220