Transistor MOSFET IRF630N

$15.00 IVA incluido

El IRF630 es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.

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Transistor MOSFET IRF630N

SKU G8J-A Categoría Etiquetas , ,

Especificaciones y características: 

  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 36 A
  • Corriente de avalancha IAR: 9 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 72 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.4 Ohms
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