Transistor MOSFET IRF630N
Especificaciones y características:
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 36 A
- Corriente de avalancha IAR: 9 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 72 W
- Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.4 Ohms



![Transistor BC517 (NPN) [AE193]](https://destecmex.com/wp-content/uploads/2023/08/destec-transistor_BJT-300x300.png)