Transistor MOSFET IRF510

$15.00 IVA incluido

El IRF510PBF es un MOSFET de potencia de canal N es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. 

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Transistor MOSFET IRF510

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Especificaciones y características: 

  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 5.6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 20 A
  • Corriente de avalancha IAR: 5.6 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 43 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.54 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
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