Transistor MOSFET IRF4905
Especificaciones y características:
- Tipo de transistor: MOSFET de canal P
- Voltaje drenaje-fuente (Vds): -55V
- Corriente de drenaje (Id): -74A (a 25°C)
- Resistencia de conducción (Rds(on)): 0.02Ω (máximo) a -10V de Vgs
- Voltaje de compuerta-fuente (Vgs): ±20V
- Potencia de disipación: 200W
- Rango de temperatura de operación: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO-220AB