Especificaciones y características:

• Tipo de MOSFET: Canal N
• Voltaje Máximo de Drenaje a Fuente (Vds): 55 V
• Corriente Máxima de Drenaje (Id): 110 A
• Resistencia en Estado de Encendido (Rds(on)): 8 mΩ a Vgs = 10 V
• Voltaje de Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.0 V – 4.0 V
• Disipación de Potencia (Pd): 200 W
• Frecuencia de Operación: Alta frecuencia
• Capacitancia de Entrada (Ciss): 3700 pF
• Temperatura de Operación: -55°C a 175°C
• Encapsulado: TO-220