Transistor MOSFET IRF1010

$15.00 IVA incluido

El IRF1010 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta potencia y conmutación rápida. Con una baja resistencia de encendido y alta capacidad de corriente, es ideal para circuitos de potencia y control de motores.

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Transistor MOSFET IRF1010

SKU G10I-D Categoría Etiquetas ,

Especificaciones y características:

  • Tipo: MOSFET de canal N
  • Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 60V
  • Corriente de drenaje (Id): 84A (a 25°C)
  • Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.012 ohmios
  • Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±20V
  • Disipación de potencia (Pd): 200W
  • Temperatura de operación: -55°C a 175°C
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