Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: MOSFET N-Channel
• Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 200 V
• Corriente de Drenaje (Id): 60 A
• Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.16 Ω a Vgs = 10 V
• Voltaje de Puerta a Fuente (Vgs): ±20 V
• Potencia de Disipación (Pd): 94 W
• Temperatura de Operación: -55 °C a +150 °C
• Encapsulado: TO-220