Especificaciones y características:

• Tipo: Transistor Bipolar de Unión (BJT) NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 45 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 45 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 4 A
• Potencia de Disipación (Ptot): 36 W
• Ganancia de Corriente de Transistor (hFE): 40 (a Ic = 2 A)
• Frecuencia de Corte (fT): 3 MHz
• Encapsulado: TO-126