Especificaciones y características:

• Tipo: Transistor Bipolar de Unión (BJT) NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 45 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 45 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 4 A
• Corriente Colector Pulsada (Icp): 8 A
• Potencia de Disipación (Ptot): 30 W
• Ganancia de Corriente de Transistor (hFE): 25 a 100 (a Ic = 2 A)
• Frecuencia de Corte (fT): 4 MHz
• Tiempo de Conmutación (tr): 0.5 µs
• Tiempo de Caída (tf): 0.2 µs
• Encapsulado: TO-220