Transistor BJT BD238
Especificaciones y características:
- Tipo: NPN
- Voltaje de Colector-Emisor (Vceo): 100 V
- Voltaje de Colector-Base (Vcbo): 100 V
- Voltaje de Emisor-Base (Vebo): 5 V
- Corriente de Colector (Ic): 2 A
- Ganancia de Corriente de Transistor (hFE): 25
- Potencia de Disipación (Pc): 25 W
- Frecuencia de Transición (ft): 3 MHz (máx.)
- Tipo de Encapsulado: TO-126