Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 100 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 100 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 2 A
• Disipación total (Pc): 25 W
• Ganancia de Corriente de Directa (hFE): 25
• Frecuencia de Transición (ft): 3 MHz
• Encapsulado: TO-126
• Temperatura de Operación: -65°C a +150°C