Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje de Colector-Emisor (Vceo): 80 V
• Voltaje de Colector-Base (Vcbo): 80 V
• Voltaje de Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente de Colector (Ic): 1.5 A
• Potencia de Disipación (Ptot): 12.5 W
• Ganancia de Corriente de Transistor (hFE): 40 a 160 (a 4 A)
• Frecuencia de Corte (fT): 4 MHz (a Vce = 10 V)
• Caso de Montaje: TO-220
• Temperatura de Operación: -65°C a +150°C