Especificaciones y características:

• Tipo: Transistor NPN de unión bipolar (BJT)
• Voltaje de Colector-Emisor (Vceo): 80 V
• Voltaje de Colector-Base (Vcbo): 80 V
• Voltaje de Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente de Colector (Ic): 1.5 A
• Potencia de Disipación (Ptot):
  • A Tc ≤ 25 °C: 12.5 W (con disipador)
  • A Tamb ≤ 25 °C: 1.25 W (sin disipador)
• Ganancia de Corriente de Transferencia (hFE): entre 25 y 250, dependiendo de la corriente de colector y las condiciones de operación
• Frecuencia de Corte (fT): 190 MHz
• Rango de Temperatura de Operación: -65 °C a +150 °C
• Encapsulado: TO-126