Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 45 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 45 V
• Voltaje de Base-Emisor (Vbe): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 1 A
• Potencia Disipada (Pc): 12 W (en condiciones de disipación de calor adecuadas)
• Ganancia de Corriente (hFE): 40
• Frecuencia de Corte de Ganancia (fT): 50 MHz
• Temperatura de Operación: -65°C a +150°C
• Encapsulado: TO-126