Transistor BJT 2SD882
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 80 V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
- Corriente Colector (Ic): 4 A
- Corriente de Colección Pulsada (Icp): 6 A
- Ganancia de Corriente Continua (hFE): 30 a 120 (a Ic = 2 A, Vce = 10 V)
- Potencia Disipada (Ptot): 25 W (con una buena disipación de calor)
- Frecuencia de Transición (ft): 4 MHz
- Configuración de Encapsulado: TO-220
- Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C