Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 30 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 40 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 3 A
• Ganancia de Corriente Continua (hFE): 60
• Potencia Disipada (Pc): 10 W
• Frecuencia de Transición (ft): 90 MHz
• Temperatura de Funcionamiento: -65°C a +150°C
• Configuración de Encapsulado: TO-126