Transistor BJT 2P4M
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje inverso pico repetitivo máximo: 500 V
- Corriente RMS de encendido: 4 A
- Corriente transitoria no repetitivo: 20 A
- Disipación de potencia promedio en la puerta a Tj = 125℃: 0.2 W
- Temperatura de operación: -40 °C a 150 °C
- Encapsulado: TO-126