Transistor BJT 2P4M
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 40 V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 50 V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
- Corriente Colector (Ic): 2 A
- Potencia Disipada (Ptot): 1 W
- Ganancia de Corriente en Continuo (hFE): 80-320 (a 2 A, Vce = 10 V)
- Frecuencia de Transición (fT): 1 MHz