Transistor BJT 2N2219A
Especificaciones y Características
- Tipo: NPN
- Encapsulado: TO-39 (metálico)
- Tensión máxima colector-emisor (V_CE): 40V
- Tensión máxima colector-base (V_CB): 75V
- Tensión máxima emisor-base (V_BE): 5V
- Corriente máxima de colector (I_C): 0,8 A (800 mA)
- Potencia disipada (P_D): 3W
- Ganancia de corriente (h_FE): 15 – 120 (dependiendo de la corriente de colector)
- Frecuencia de transición (f_T): 250MHz (ideal para aplicaciones en RF)
- Resistencia térmica (R_θJA): 200°C/W
- Temperatura de operación: -65°C a 200°C
- Contenido 1pz.