Transistor BJT 13003
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 400 V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 400 V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 9 V
- Corriente de Colector (Ic): 4 A
- Corriente de Colector Pulsado (Icp): 8 A
- Ganancia de Corriente de Transferencia (hFE): 20 a 100 (a Ic = 2 A, Vce = 10 V)
- Potencia de Disipación (Ptot): 40 W (con una adecuada disipación de calor)
- Frecuencia de Corte (fT): 2 MHz
- Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
- Encapsulado: TO-220