Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 400 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 600 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 9 V
• Corriente de Colector (Ic): 1.25 A
• Ganancia de Corriente de Transferencia (hFE): 10
• Potencia de Disipación (Pc): 20 W
• Frecuencia de Corte (fT): 8 MHz
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Encapsulado: TO-126