Transistor 2N3906 [AE193]

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El 2N3906 PNP es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo «PNP», formado por dos capas de material tipo «P», separadas por otra de tipo «N».

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Transistor 2N3906 [AE193]

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Especificaciones y características: 

  • VCBO Máxima Colector-Base: 40v
  • Tensión VCEO Máxima Colector-Emisor: 40v
  • Tensión VEBO Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente del Colector Ic: 200 mAdc
  • Dp – Disipación de potencia: 625 mW
  • DC ganancia de corriente: 300
  • fT Ancho de Banda: 250MHz
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 400 mV
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
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