Especificaciones y características: 

• Tecnología: CMOS (HC)
• Canales: 4 Búferes de 3 estados (Tri-State)
• Entradas de habilitación: 1 por canal
• Tensión de operación: 2V a 6V
• Velocidad de operación: Máxima frecuencia de hasta 100 MHz
• Consumo de corriente: Bajo consumo de energía en reposo
• Capacidad de salida: 25 mA por canal
• Tiempo de propagación: 13 ns (típico) a 5V
• Rango de temperatura: -40°C a 125°C
• Encapsulado: DIP de 14 pines