Especificaciones y características:

• Tipo: Transistor NPN de unión bipolar (BJT)
• Voltaje de Colector-Emisor (Vceo): 80 V
• Voltaje de Colector-Base (Vcbo): 100 V
• Voltaje de Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente de Colector (Ic): 1.5 A
• Potencia de Disipación (Ptot): 12.5 W
• Ganancia de Corriente de Transferencia (hFE): 40 a 160 (a Ic = 2 A y Vce = 10 V)
• Frecuencia de Corte (fT): 4 MHz (typical)
• Rango de Temperatura de Operación: -65 °C a +150 °C
• Encapsulado: TO-220