Especificaciones y características:

• Tipo de Transistor: NPN
• Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 V
• Voltaje Colector-Base (Vcbo): 80 V
• Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
• Corriente Colector (Ic): 4 A
• Corriente de Colección Pulsada (Icp): 6 A
• Ganancia de Corriente Continua (hFE): 30 a 120 (a Ic = 2 A, Vce = 10 V)
• Potencia Disipada (Ptot): 25 W (con una buena disipación de calor)
• Frecuencia de Transición (ft): 4 MHz
• Configuración de Encapsulado: TO-220
• Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C