Transistor MOSFET IRF1010

$15.00 IVA incluido

El IRF1010 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta potencia y conmutación rápida. Con una baja resistencia de encendido y alta capacidad de corriente, es ideal para circuitos de potencia y control de motores.

Disponibilidad: 5 disponibles

Transistor MOSFET IRF1010

SKU G10I-D Categoría Transistores Etiquetas canal N, IRF1010

Especificaciones y características:

Tipo: MOSFET de canal N
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 60V
Corriente de drenaje (Id): 84A (a 25°C)
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.012 ohmios
Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±20V
Disipación de potencia (Pd): 200W
Temperatura de operación: -55°C a 175°C